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标题: 多晶电池片在刻蚀去PSG后，背面边缘部分发黄是什么原因？ [打印本页]

作者: ztjy2008 时间: 2011-6-24 09:18
标题: 多晶电池片在刻蚀去PSG后，背面边缘部分发黄是什么原因？
多晶电池片在刻蚀去PSG后，背面边缘部分发黄是什么原因？

作者: 118003016 时间: 2011-6-29 02:01
可能有药液残留

作者: chengxinshijin 时间: 2011-7-9 22:01
你可以测试下漂洗槽的PH值

作者: qiuyucsx 时间: 2011-8-10 21:09
可能是碱的问题

作者: zhaoff2005 时间: 2011-8-26 08:37
可能是酸残留。

作者: xyd0209 时间: 2011-9-14 09:30
很可能是去PSG时未清洗干净，硅片上有残留药液，看看最后的水洗槽是不是出问题了……

作者: Mr__Chen 时间: 2011-12-27 11:10
多孔硅？？？？？？？？

作者: /:Z拯救 时间: 2012-5-21 00:04
磷硅玻璃不是多孔硅

作者: 菓唲彵夿 时间: 2012-6-6 16:43
主要原因为扩散后，背面周边有一层磷硅玻璃，影响反应速度！

作者: permanentlich 时间: 2012-6-14 11:53
片子上肯定有酸残留！

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