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标题:
关于多晶扩散工艺的低磷高温方案,对于炉内电池片方阻均匀性改善的问题?
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作者:
ai503317213
时间:
2012-10-20 10:22
标题:
关于多晶扩散工艺的低磷高温方案,对于炉内电池片方阻均匀性改善的问题?
企业最开初用的小N流量和其他气体流量均比较大,每炉生产400片;时常出现炉口部位硅片与其他部位硅片的方阻差异很大,如规定66方阻,炉尾炉中可能64~69,但是炉口确高达74;我们尝试过调解温度、抽风均没有实质效果。
后将所有工艺步骤气体比例均降低一半,经过调解温度,可以生产500片,但是炉口部位方阻变化反而没有以往差异大,求各位专家的指导。
作者:
jayjay1223
时间:
2012-10-22 14:47
。。。。。。。。。。RT同求
作者:
ztzxd
时间:
2012-11-2 10:24
扩散问题还是比较多的
作者:
wokaoman
时间:
2012-11-2 16:51
看你用国产的还是进口的了,用tempress吧
作者:
lafel
时间:
2012-11-8 11:38
等比例增加气体流量和减少气体流量分组比对。
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