激光晶化多晶硅 的制备与 XRD谱
燕平h ,黄金英 ,郜峰利 ,邵喜斌h 。 ,付 国柱 ,荆 海h 。 , 缪国庆
( 1 .中国科学 院长 春光学精 密机械与物理研究所 ,北方 液晶工程 研究开发中 f l , ,长春 1 3 0 0 2 1 ;
2 .中国科 学院激发态物理重点实验室 ,长 春 1 3 0 0 2 1 ;3 .吉林北方彩晶数码 电子有限公司 ,长春 1 3 0 0 3 1
4 .吉林大学 电子科学 与工程学 院 ,长春 1 3 0 0 2 3 )
摘要:对氢化非晶硅( a — S i: H) 进行 了脱氢和不同能量密度的准分子激光 晶化多晶硅的实验,
对所得样 品用X射线衍射表征.针对 多晶硅 ( 1 1 1 ) 面特征峰的强度、晶面间距和宽化信息,分
析 了激光功率密度对晶化多晶硅结晶度和应力的影响,根据谢乐公式( S c h e r r e r ) 估算 了晶粒
的大小,得到用准分子激光 晶化多晶硅 的较佳工艺参数,并且验证 了激光辐射对薄膜材料作
用的3种情况.
关键词:氢化非晶硅;脱氢;激光 晶化;多晶硅 ;X射线衍射;半宽度
中图分类号:04 8 4 . 4;04 7 1 . 4 文献标识码:A 文章编号 :1 6 7 1 — 5 4 8 9 ( 2 0 0 4 ) O 1 — 0 0 9 9 — 0 4
Pol y— s i l i c on' s pr e par a t i on by e xci m e r l as e r anne al i ng a nd