激光晶化多晶硅 的制备与 XRD谱

zhangcunbiao

激光晶化多晶硅 的制备与 XRD谱
燕平h   ，黄金英  ，郜峰利  ，邵喜斌h 。 ，付 国柱  ，荆  海h 。 ，   缪国庆
( 1 ．中国科学 院长 春光学精 密机械与物理研究所 ，北方 液晶工程 研究开发中  f l , ，长春 1   3 0 0 2 1 ；  
2 ．中国科 学院激发态物理重点实验室 ，长 春 1   3 0 0 2 1 ；3 ．吉林北方彩晶数码 电子有限公司 ，长春 1   3 0 0 3 1  
4 ．吉林大学 电子科学 与工程学 院 ，长春 1   3 0 0 2 3 )  
摘要：对氢化非晶硅( a — S i： H) 进行 了脱氢和不同能量密度的准分子激光 晶化多晶硅的实验，  
对所得样 品用X射线衍射表征．针对 多晶硅 ( 1 1 1 ) 面特征峰的强度、晶面间距和宽化信息，分
析 了激光功率密度对晶化多晶硅结晶度和应力的影响，根据谢乐公式( S c h e r r e r ) 估算 了晶粒
的大小，得到用准分子激光 晶化多晶硅 的较佳工艺参数，并且验证 了激光辐射对薄膜材料作
用的3种情况．  
关键词：氢化非晶硅；脱氢；激光 晶化；多晶硅 ；X射线衍射；半宽度
中图分类号：04 8 4 ． 4；04 7 1 ． 4   文献标识码：A   文章编号 ：1 6 7 1 — 5 4 8 9 ( 2 0 0 4 ) O 1 — 0 0 9 9 — 0 4  
Pol y— s i l i c on' s   pr e par a t i on  by   e xci m e r   l as e r   anne al i ng   a nd