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[技术交流] 哪些因素影响单晶生长界面,如何影响?

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楼主
发表于 2011-5-18 10:17:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
直拉法拉制硅单晶时,单晶生长表面存在边界层,由于强度不同,晶体转动速度不同,边界层厚薄也不同。无论速度边界层δv,溶质边界层δc和温度边界层δT,它们的大小都受晶体转动速度影响,都正比于ω-1/2。速度边界层δv较大,在δv内一般为层流;溶质边界层δc小的多,在δc内,溶质输送主要是传层传热。熔体中的强迫对流和自然对流通过影响三个边界层的厚度,使溶质边界层δc内的溶质和温度边界层δT的温度发生波动而影响晶体生长界面的生长状态,影响生长界面的稳定性
2#
发表于 2011-5-19 14:25:58 | 只看该作者
我认为最好的方法应该是,避免液面的横向梯度与纵向梯度的波动
3#
发表于 2011-6-8 14:54:17 | 只看该作者
液面的波动最关键。
4#
发表于 2011-6-25 09:21:37 | 只看该作者
1、热场梯度波动!
2、抽气口堵塞。
3、机械部分。
5#
发表于 2011-8-17 11:42:24 | 只看该作者
对流,机械振动,工艺
6#
发表于 2011-9-16 12:40:01 | 只看该作者
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哈哈哈哈啊哈哈
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