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楼主: hf1220
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[技术交流] 想不通的扩散工艺-望指教

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11#
发表于 2011-10-10 00:47:34 | 只看该作者
首先我想说的是PN结不是简单的把P形和n形结合起来。。。。
1.。。P型半导体放在扩散炉中,通入POCL3,磷原子是从四面八方进入到P型半导体中,结果怎么会形成磷在一边,硼在一边的PN结
      首先制作pn结时他有两种杂质。。而在现在常用的基地是p形的。。即掺B的。。在制作时只需在硅片表面掺入另一种杂质就可以、、在制作过程中只需将硅片背靠背的放起来就可以在一面形成PN结。。。
2.怎么知道那面是p,那面是n
       这个很简单。。看扩散面扩散的是什么杂质了。。。
12#
发表于 2011-10-11 10:59:55 | 只看该作者
楼上正解
P面N面很明显可以区分
13#
发表于 2011-10-16 10:22:35 | 只看该作者
PN结0.3-0.4个微米吧
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