哪位朋友知道扩散工艺的细节?

fjzong · 发表于 2008-2-3 15:48:48

哪位朋友知道扩散工艺的细节?
硅片是一片片单独放?还是两片两片背靠背一起放?
扩散后是只有一面有p-n结, 还是硅片的两面都有p-n结?

wokaoman · 发表于 2012-11-2 18:11:53

两种方法没有太大差异，最后做湿法刻蚀还会把背面刻掉的

jihongchun · 发表于 2011-9-2 10:52:06

扩散的工艺一般都有10步左右，一般都采用背靠背单面扩散，PSG需洗去片子边缘及背面的磷硅玻璃。

6552179 · 发表于 2011-8-17 16:56:15

回复 andarchan 的帖子

去PSG的目的是去除硅片扩散后表面产生的氧化硅膜和刻蚀后的杂质

118003016 · 发表于 2011-6-29 02:23:02

看来你不是做电池片的，做电池片不会问这样的问题的。制绒两面都有，扩散两面都有。只选制绒面作扩散面。

fcsky@126.com · 发表于 2011-2-24 20:02:40

这个我表示压力很大啊！！
单片的是双面扩散
背靠背的是单面扩散
两者最终的结果是一样的，每个公司的都不一样

barton2004 · 发表于 2010-12-21 09:27:36

这种问题是基本工艺,看一些相关的资料即知道了.

ly2988520 · 发表于 2010-11-29 16:23:03

制绒后的硅片两面都有绒面，扩散的时候一个石英舟的格子里放两片，扩散的时候只是扩散朝外的那一面，两张片子贴在一起的那一面扩散不到，扩散面有PN结，非扩散面没有PN结。

andarchan · 发表于 2008-10-7 21:44:43

新手我请问：去PSG的目的是什么呢？为什么呢

atwoodtiger · 发表于 2008-9-8 10:58:16

制绒时两片插一起就是单面制绒了为，呵呵。准备用RENA设备用来做背腐蚀，这样就可以省掉等刻，去PSG工序了。尚德好像就这么做。

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